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CPH3457
10
1m μ s
10
s
0m
a=
25
° C
μ s
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
VDS=15V
ID=3A
VGS -- Qg
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
ASO
IDP=12A (PW ≤ 10 μ s)
ID=3A
DC
op
Operation in this area
is limited by RDS(on).
er
a i t
10
on
(T
s
m
s
0
)
10
1.0
7
5
0.5
3
2
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
0.01
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.01
2 3 5 7 0.1 2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3
5
1.2
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT15276
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15792
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT15789
No. A1804-4/7
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CPH3459-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 欧姆 @ 250mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:2.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:90pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000
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CPH38W23MARASK9X 制造商:CONEC 制造商全称:CONEC 功能描述:CompactPCI